完本神战

第639章 雷山基地（第3页）

——

雷山基地，地下一层。

电梯门打开，一股带着微量臭氧的冷气扑面而来。

温度恒定在二十二度，湿度锁死在百分之四十五。

陈阳走在最前面，苏清妍跟在半步之后，方墨、史强、秦风三人落后两步。基地安保主管带路，通过了三道虹膜识别闸机。

走廊尽头是一面落地玻璃墙。

玻璃墙后面，是一个足球场大小的百级超洁净厂房。

黄光区。

穿着兔子服的工程师在设备间穿行，动作不快不慢，每一步都踩在标准流程上。

ArF浸没式DUV光刻机在正中位置，上海微电子的logo贴在机身侧面。四台并排，运行指示灯全绿。

“陈总。”

一个戴金丝边眼镜的中年人迎上来。

个子不高，后脑勺头发稀疏，但精神头很足。

北大重庆碳基院产业化团队负责人，周政。

他身后站着五个人，各自抱着平板或笔记本电脑，表情介于紧张和兴奋之间。

“周教授，直接开始吧。”陈阳没废话。

周政点头，转身往观测走廊深处走。

一行人来到了一间技术会议室。

长桌上摆着几块芯片样品——碳黑色的基底，在顶灯下泛着哑光。

周政拿起其中一块，托在掌心。

“这是昨天第一条产线下线的第一批量产片。

8英寸晶圆，7纳米碳基CMOS。”

他把芯片放回桌上，打开投影。

“我先说底层原理，再说工艺，最后对标性能。有问题随时打断。”

陈阳搬了把椅子坐下，苏清妍站他旁边，拿出笔记本准备记录。

方墨自己找了个角落靠着墙，双手插兜。

史强对技术不感兴趣，在门口站岗。

“沟道材料用的是半导体型单壁碳纳米管。”

周政指着投影上的原子结构图，“一维管状结构，天然管径一点二到一点六纳米。

各位不需要记这些数字，只需要记住一件事——”

他伸出一根手指。

“这东西的载流子迁移率，是单晶硅的一百倍。”

秦风手里的水杯停在嘴边。

“一百倍什么概念？”

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