完本神战

第四百三十八章 光刻机项目 另辟蹊径（第1页）

沐阳研究更新后的阅读系统两个多小时才研究透，兴奋得睡不着。

喝了一杯茶，他想看看芯片制造技术的核心设备：光刻机。

目前市场上，有两种主流光刻机，一个是DUV光刻机，另一个是EUV光刻机。

DUV是深紫外线（DeepUltravioletLithography），EUV是极深紫外线（ExtremeUltravioletLithography）。

从制程范围来看，DUV基本上只能做到25nm，Intel凭借双工作台的模式做到了10nm，但是却无法达到10nm以下。

只有EUV能满足10nm以下的晶圆制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。

这个线宽其实就是跟光的线宽有关系，比如可见光的G线，那就是436nm，如果用来刻蚀，线路肯定很宽。

可以简单地认为，光刻机的光系统其实就是一支画笔，不同的光代表不同粗细大小的笔芯，越细的笔（光）能够画越细越复杂的画。

DUV就是彩笔，EUV就是中性笔，中性笔画的线条比较细，比较好用。

这么理解，也好理解光刻机到底如何刻蚀电路图了。

当前，国外品牌光刻机主要以荷蓝ASML，岛国Nikon和Canon三大品牌为主。

EUV的价格是1－3亿美金台，DUV的价格为2000万－5000万美金台不等。

目前先进的光刻系统就是EUV光刻机，如果沐阳打算走EUV光刻机路线，必然绕不开别人的技术专利保护范围。

因此，他只能寻找另外光种的光刻机，同时要考虑到光的分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等指标。

就说分辨率，如果制作出来的电路图模糊不清，那芯片肯定不好。

光刻机其它的指标，也可以比喻成画笔的性能就行了。

并不是说，沐阳不能搞光刻机了，只是说，再搞DUV和EUV光刻机，绕不开以上三家企业的技术专利保护范围。

所以，他只能另辟蹊径。

很久之前，沐阳就想到过电子束光刻机。

原本，再过几年，漂亮国的一个实验室研发出一套名为ZyvexLitho1的光刻系统，基于STM扫描隧道显微镜，使用的是EBL（E－BeamLithography）电子束光刻方式，制造出了0。7nm线宽的芯片，只是没法实现批量生产，或者成本高过。

沐阳相信，如果是技术成熟的电子束光刻机，线宽比0。7nm更小。

他在系统商店普通货架上默念搜索“电子束光刻机”，很快，搜索出几款相关技术。

沐阳选择适合自己公司的一款技术：EBL01

技术参数：

1。最小线宽：小于1nm

2。加速电压：5－500kV

3。电子束直径：小于0。5nm

4。套刻精度：1nm（mean＋0。2σ）

5。拼接精度：1nm（mean＋0。2σ）

6。加工晶圆尺寸：4－18英寸

7。描电镜分辨率：小于0。2nm

主要特点：

1。采用超高亮度和超高稳定性的TFE电子枪；

2。出色的电子束偏转控制技术；